溅射室极限真空度：≤6.6x10-5Pa(经烘烤除气后)；（洁净真空环境）

系统从大气开始抽气：溅射室30分钟≤6.6x10-4 Pa；（抽速快，缩短实验准备时间）

系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa；

以Cu样品标定，200nm厚度，样品的膜厚均匀性≤±5%。

高真空磁控溅射薄膜沉积系统为单室结构，主要由溅射真空室、磁控溅射靶、旋转加热基片台、加热系统、直流电源、射频电源工作气路、工作气路、真空获得系统、安装机台、真空测量、水冷却及报警系统和控制系统等部分组成，可用于金属薄膜、纳米膜等的制备。设备采用全自动操作系统。

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