分辨率：

≤0.8um（真空接触）；

≤3.0um（20um 间隙）

正面套刻精度：≤ ±0.5um

背面套刻精度：≤ ±1.0um

光强均匀度：≤ ±2.5％

主要用于微电子、MEMS 微纳图形加工工艺中高精度的紫外曝光与套刻对准，支持各类正胶、负胶工艺。

样品尺寸：最大 150mm 圆形，支持最大晶圆厚度：8.5mm

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详细请参考操作手册

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