中心设备
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循环周期小于2秒。在特定的条件下可以小于1秒。
高深径比(HAR)选项适用于通孔和多孔的基底材料。
可快速加热和冷却的冷壁真空反应腔。
安装在真空反应腔的辅助接口可实现等离子体和在线诊断等。
加载锁可用于快速更换基底材料并与其他设备集成。
设备用于在平面衬底、沟槽结构和三维结构表面沉积制备均匀、致密、纳米级别的二元、三元、四元薄膜、梯度薄膜、重叠层、掺杂质薄膜材料等薄膜材料。
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