研究方向：主要从事触控技术、薄膜技术、Micro-LED 显示技术、半导体材料与器件、界面科学等研究工作。

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职称/职务：特聘教授

教育工作经历：

2002-2005，美国佛罗里达大学电子工程博士

2017-至今，福州大学 物理与信息工程学院 特聘教授

教学简介：

科研简介：

陈祖辉博士主要从事触控技术、信息显示技术、薄膜技术、半导体材料与器件、界面科学等研究工作，致力于创新技术的产业化，在器件开发、可靠性分析与检测、微电子加工制造等有丰富经验，已经发表了20多篇的学术期刊和会议文章。

从2007年到2010年, 在新加坡南洋理工大学工作, 是新加坡Lee-Kuan-Yew Postdoctoral Fellowship获得者，主要从事半导体材料和电子器件可靠性的研究工作，应用中性表面态来阐释晶体管负偏压温度不稳定性(NBTI)问题，从而为延长晶体管寿命、降低器件功耗和提高器件可靠性的等方面研究奠定基础；从2011年至2012年, 在新加坡微电子研究院工作，主要从事研究高温恶劣环境对高强度电子器件性能的影响以及如何优化提高电子器件的性能。该项目已经成功地将数字、模拟和高压三类电子晶体管的PDK从225C大幅提高到300C,从而为电子器件在高温和恶劣环境的应用铺平道路。

    2012年回国组织投射式触控屏的技术开发与生产工作；在大尺寸电容触摸屏和一体化投射式触控屏的研发取得重要进展，多项自主研发的产品、制程工艺和检测技术已经应用于生产；已申请20多件有关投射式触控屏结构、制作、检测和材料的核心技术专利。

代表性论文：

1.Zuhui Chen, Bin B. Jie and Chih-Tang Sah, Theoretical Accuracy of Using Boltzmann Ionization Impurity Approximation in Measurement of Recombination Current at Interface Traps in MOS structures, J. Appl. Phys., 2006, 99, 024502

2.Zuhui Chen, Bin B. Jie and Chih-Tang Sah, Effects of Energy Distribution of Interface Traps on Recombination DC Current-Voltage Lineshape, J. Appl. Phys., 2006, 100, 114511.

3.Zuhui Chen, Bin B. Jie and Chih-Tang Sah, High Concentration Effects of Neutral-Potential Interface Traps on Recombination DC Current-Voltage Lineshape in MOS Transistors, J. Appl. Phys., 2008, 104, 094512.

4.Zuhui Chen, Bin B. Jie and Chih-Tang Sah, Temperature Dependences of Surface Recombination DC Current-Voltage Characteristics in MOS Transistors, Solid-State Electronics, 2006, 50, 1532.

5.Zuhui Chen, Xing Zhou and Goujun Zhu, Effects of transitional layer of gate insulator on recombination dc current-voltage lineshape in metal-oxide-semiconductor transistor, J. J. Appl. Phys., 2009, 48, 091403. 

6.Zuhui Chen, Bin B. Jie and Chih-Tang Sah, Impurity Deionization Effects on Surface Recombination DC Current-Voltage Characteristics in MOS Transistors, Journal of Semiconductor, 2010, 31, 121001. （Invited Paper）

7.Zuhui Chen, Bin B. Jie and Chih-Tang Sah, Microscopic Theory of Energy Distribution of SiO2/Si Interface Traps; A Survey of History and Some New Results, ICSICT-2006 Proc. 2006. 1227.

8.Zuhui Chen, Bin B. Jie and Chih-Tang Sah, High Concentration of Interface Traps in MOS Transistor Modeling, NSTI-Nanotech 2007, 2007, 3, 394.

9.Zuhui Chen, Xing Zhou, Youzhou Hu and Machavolu K. Srikanth, Neutral Interface Traps for Negative Bias Temperature Instability, 2011 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2011,1227.

10.Zuhui Chen, Xing Zhou, Guojun Zhu and Shihuan Lin, Interface-trap modeling for silicon-nanowire MOSFETs, 2010 IEEE International Reliability Physics Symposium, 2010, 3, 493.

专利：

已授权发明专利

科研项目：